삼성전자가 차세대 고대역폭메모리인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다. HBM4E는 AI 가속기와 대규모 데이터 처리에 쓰이는 차세대 메모리 제품군으로, 삼성전자는 이번 공급을 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하 사례로 설명했다.

삼성전자에 따르면 HBM4E 12단은 1c D램과 4나노 파운드리 기반 로직 베이스 다이를 적용했다. 핀당 동작 속도는 최대 16Gbps이며, 전작 HBM4보다 20% 이상 높아진 수준이다. 단일 스택 기준 대역폭은 초당 최대 3.6TB, 용량은 48GB다.

이번 제품은 AI 서버와 데이터센터의 연산 수요 확대에 대응하는 메모리 기술로 제시됐다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다고 밝혔다. 고성능 연산 장비의 전력 사용량과 발열 부담이 커지면서 메모리 효율도 AI 인프라 경쟁의 주요 변수로 부상하고 있다.

국제에너지기구는 지난해 공개한 보고서에서 전 세계 데이터센터 전력 수요가 2030년까지 945TWh 안팎으로 두 배 이상 늘어날 것으로 전망했다. AI 최적화 데이터센터의 전력 수요는 같은 기간 네 배 이상 증가할 것으로 예상했다. 반도체 업계가 처리 속도와 함께 전력 효율, 열 관리, 패키징 기술을 강조하는 배경이다.

삼성전자는 HBM4E 12단을 시작으로 고객사 요구에 맞춰 8단과 16단 제품군까지 라인업을 넓힐 계획이다. 다만 이번 공급은 샘플 출하 단계로, 실제 대량 공급과 시장 점유율 변화는 고객사 검증, 양산 수율, 공급 일정에 따라 달라질 수 있다.

HBM 시장에서는 SK하이닉스와 마이크론도 차세대 제품 경쟁을 이어가고 있다. 로이터통신은 삼성전자의 HBM4E 샘플 공급이 AI 메모리 시장 주도권 회복을 겨냥한 움직임이라고 보도했다. 고성능 메모리 수요가 데이터센터 전력 부담과 맞물리면서 반도체 업계의 경쟁 축은 속도와 용량을 넘어 에너지 효율로 확대되고 있다.